导读 【消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出】!!!今天受到全网的关注度非常高,那么具体的是什么情况呢,下面大家可以一起来看看具体都是怎么...
【消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出】!!!今天受到全网的关注度非常高,那么具体的是什么情况呢,下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧!
1、【消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出】三星电子将于2026年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过400,预计于2027年推出的0a nm DRAM则将采用VCT结构。
2、报道表示三星第10代(即下代) V-NAND将被命名为BV(Bonding Vertical) NAND,这是因为这代产品将调整NAND结构,从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。
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