【新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录】!!!今天受到全网的关注度非常高，那么具体的是什么情况呢，下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧！

1、【新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录】 据美国趣味科学网站16日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM）陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。

2、薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。

3、其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导体的7倍。

4、这一成果有助科学家研制新型高效电子设备。

5、相关论文发表于《今日材料物理学》杂志。

6、（科技日报）。

以上就是关于【新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录】的相关消息了，希望对大家有所帮助！