吉网

芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线将于2024年通线

导读 【芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线将于2024年通线】!!!今天受到全网的关注度非常高,那么具体的是什么情况...

【芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线将于2024年通线】!!!今天受到全网的关注度非常高,那么具体的是什么情况呢,下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧!

1、【芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线,将于2024年通线】 芯联集成近期接受投资者调研时称,碳化硅(SiC)MOSFET产品性能好,技术含量高,产品高度集中应用在汽车行业。

2、公司已经突破应用于主驱的平面碳化硅(SiC)MOSFET的技术,并已实现公司最新一代的碳化硅(SiC)MOSFET产品性能达到世界领先水平。

3、同时,公司正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线,也将于2024年通线。

以上就是关于【芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线将于2024年通线】的相关消息了,希望对大家有所帮助!